型すなわちポジ型(光可溶化型)のレジストが上記 の条件を満足していたので，両者の解像力の差は歴 然としていた．このことが「レジストの解像度はレ ジスト固有のもの」という固定観念を生みだし，さ らには「ネガ型の解像度はポジ型に及ばない」といフォトレジストには光の当った部分が溶剤に不溶化す るネガ型と,光 の当った部分が可溶化するポジ型があ り,ネ ガ型フォトレジストにはポリケイ皮酸ビニル系と ゴム系が,ポ ジ型フォトレジストにはナフフォトレジストにはネガ型とポジ型があるが,ネ ガ型 フォトレジストはμm以 下を解像できないため,64k DRAM(最 小線幅30μm)以 上のLSIの 量産はポジ型 フォトレジストで行っている。 ポジ型フォトレジストはナフトキノンー1,2一ジァジド
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ネガ ポジ レジスト
ネガ ポジ レジスト- 図4 ポジ型の工程 フォトレジストのポジ、ネガに対応して、作画フィルムもネガ、ポジが必要となります（図5）。一般的に、基板設計者はポジの作画データを作成すればよく、必要ならば基板製造者がポジの作画データからネガへの変換を行います。 図54 レジスト材料 露光の他，解像力には，光学像をパターンとして再現す るレジスト材料の役割が大きい。図6 に基本的なレジスト 特性を示す。露光量と現像後レジストの残存膜厚からなる 特性曲線である。ここで γ は曲線の傾きである。
1995 号 フォトレジストの現像方法 Astamuse
フォトレジストにはポジ型とネ ガ型の2 種類がある。光の照射によ りマスクと じパタンのレジスト･ パタンを得られる場合がポジ型、マ スクと反転したパタンが得られる 場合がネガ型である。ポジ型のレジ ストは光照射を受けた部分のレジÂçq `où R`z ÊØå ¿« %·q eoò«Ntb q5È w Ø Ý 6qb \qUpVh{`T `z 1 ä QU";度が変化してレジストパターンとなる高分子材料である．光照 射を受けた部位が現像プロセスによって除去される場合をポジ 型，逆に現像プロセスによって残る場合をネガ型と言う1）． 図1にリソグラフィーとレジスト材料の発展の歴史を示す2）．
ネガ型とポジ型 フォトレジストは、光・電子線との反応方法から大きく分けてポジとネガに分けられる。 ネガ型 ネガ型は露光されると現像液に対して溶解性が低下し、現像後に露光部分が残る。吟味し,さ らにレジストの特性を十分に加味して選択す ることが大切である。また,使 用に当たって,レ ジスト, 現像液および併用する薬品の人体への安全性7)や 廃液 処理も重要である。 21ポ ジ型レジスト ポジ型レジストは感光剤のナフトキノンジアジドスルポジ型レジスト：現像すると露光した部分のレジストが溶ける。 ネガ型レジスト：現像すると露光した部分のレジストが残る。 米国インテル社が1971年に発表した世界初のcpu「4004」のプロセスルー ルは10μm（マイクロメートル）。同社が 13 年に出荷を開始
逆転の発想② 新画像形成方法の閃き 0 0T z o Æ r ¼ z 1 ä Qw M ýhsÊØå ¿ « %·U9レジスト除去 酸化膜を覆っていたレジストを有機溶剤（アセトンなど）で除去する。 (a) ポジ型 (b) ネガ型 図6 レジスト
配線の幅 その1 配線パターンを作る2つの手法 プリント基板の技術的な知識とノウハウのまとめならアットマークエレ
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いるので,ポ ジ,ネ ガレジストの定義を広くする必要が ある。広義には露光部が選択的に除去されるのがポジ型 で,未 露光が除かれるのがネガ型レジストである。 このような一成分系レジストは高分子のポジパターン形成 ネガパターン形成 有機溶剤現像 238% tmah aq n oh酢酸 nブチル o o 画像が反転！ o o o oh h 遮光部 露光部 ＜逆転の発想②＞ 現像液の性質を逆にすれば、ポジ型レジストがネガ型レジストに変化する!
13 号 厚膜レジストの現像方法 及び半導体デバイスの製造方法 Astamuse
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