型すなわちポジ型(光可溶化型)のレジストが上記 の条件を満足していたので，両者の解像力の差は歴 然としていた．このことが「レジストの解像度はレ ジスト固有のもの」という固定観念を生みだし，さ らには「ネガ型の解像度はポジ型に及ばない」といフォトレジストには光の当った部分が溶剤に不溶化す るネガ型と,光 の当った部分が可溶化するポジ型があ り,ネ ガ型フォトレジストにはポリケイ皮酸ビニル系と ゴム系が,ポ ジ型フォトレジストにはナフフォトレジストにはネガ型とポジ型があるが,ネ ガ型 フォトレジストはμm以 下を解像できないため,64k DRAM(最 小線幅30μm)以 上のLSIの 量産はポジ型 フォトレジストで行っている。 ポジ型フォトレジストはナフトキノンー1,2一ジァジド
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